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Electro-Films (EFI) / Vishay SI6467BDQ-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI6467BDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI6467BDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI6467BDQ-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 450µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V Verlustleistung (max) 1.05W (Ta) Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Andere Namen SI6467BDQ-T1-GE3CT Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V detaillierte Beschreibung P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Ta) SI6467BDQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI6467BDQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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